基本信息
标准名称: | 半导体中深能级的瞬态电容测试方法 |
英文名称: | Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques |
中标分类: | 能源、核技术 >> 能源、核技术综合 >> 技术管理 |
发布部门: | 中华人民共和国电子工业部 |
发布日期: | 1994-04-11 |
实施日期: | 1994-10-01 |
首发日期: | 1900-01-01 |
作废日期: | 1900-01-01 |
归口单位: | 电子工业部标准化研究所 |
起草单位: | 电子工业部第四十六研究所 |
起草人: | 刘春香,张若愚,段曙光 |
出版社: | 电子工业部标准化研究 |
出版日期: | 2004-04-18 |
页数: | 6页 |
适用范围
本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。
本标准适用于测量硅、砷化稼等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。
由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电
容瞬态有关的深能级。
前言
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所属分类: 能源 核技术 能源 核技术综合 技术管理