基本信息
| 标准名称： | 功率半导体发光二极管芯片技术规范 |
| 英文名称： | Technical specification for power light-emitting diode chips |
| 中标分类： | 电子元器件与信息技术 >> 半导体分立器件 >> 微波、毫米波二、三极管 |
| ICS分类： | 电子学 >> 光电子学、激光设备 |
| 发布部门： | 工业和信息化部 |
| 发布日期： | 2009-11-17 |
| 实施日期： | 2010-01-01 |
| 首发日期： | |
| 作废日期： | |
| 主管部门： | 工业和信息化部电子工业标准化研究所 |
| 归口单位： | 工业和信息化部电子工业标准化研究所 |
| 起草单位： | 中国电子科技集团公司第十二研究所、厦门三安电子有限公司、厦门华联电子有限公司 |
| 起草人： | 崔波、张万生、蔡伟智、胡爱华 |
| 出版社： | 电子工业出版社 |
| 出版日期： | 2010-01-01 |
| 页数： | 14页 |
适用范围
主要规定了功率半导体发光二极管芯片材料、尺寸、键合区、标志、外观质量、绝对最大额定值和光电特性、质量保证规定、交货准备、目检、静电放电敏感度测试和分级方法等。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 电子元器件与信息技术 半导体分立器件 微波 毫米波二 三极管 电子学 光电子学 激光设备